PTFA072401ELV4XWSA1
![kualitas [#varpname#] pabrik](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Deskripsi:
FET RF LDMOS 240W H33288-2
Kategori:
Perangkat Semikonduktor Diskrit
Persediaan:
Di dalam stok
Cara Pembayaran:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
metode pengiriman:
LCL, UDARA, FCL, Ekspres
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status Produk:
Usang
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Tegangan - Nilai:
65 V
Paket:
Tray
Seri:
-
Angka Kebisingan:
-
Paket Perangkat Pemasok:
H-33288-2
Tegangan - Tes:
30 V
Mfr:
Teknologi Infineon
Frekuensi:
765MHz
Keuntungan:
19dB
Paket / Kasus:
H-33288-2
Saat ini - Tes:
1,8 A
Daya - Keluaran:
220W
teknologi:
LDMO
Peringkat Saat Ini (Amps):
-
Pengantar
MOSFET RF 30 V 1,8 A 765MHz 19dB 220W H-33288-2
Kirim RFQ
Saham:
In Stock
MOQ: